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NP 300 2015-2016
Altura: 12
Y muchas aplicaciones más
Potencia de Disipación: 100 mW
Tipo de montaje: THT – A través del orificio
Transistor Mosfet IRFZ44N 2016 NP 300 2015-2016Especificaciones: Polaridad de transistor: Canal N Voltaje de drenaje a fuente VDS: 55 V Voltaje de puerta a fuente VGS: 20 V Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 55 V Corriente continua de drenaje ID: 49 A Corriente de drenaje pulsada IDP: 160 A Corriente de avalancha IAR: 25 A Disipacin de potencia mxima PD (Tc=25 C): 94 W Resistencia de activacin RDS(on) mxima: 0. 0175 ohms Temperatura de operacin mnima: 55 C Temperatura de operacin mxima: 175 C